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家へ > 製品 > シリコンカービード セラミックス > Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications
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Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications
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Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

製品詳細

起源の場所: CN

ブランド名: Dayoo

支払いと送料の条件

最小注文数量: カスタマイズされた

価格: CNY

パッケージの詳細: パッケージ

受渡し時間: 60労働日

供給の能力: 工場

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製品詳細

製品説明
ハイライト:
高い熱伝導率:
はい
耐熱衝撃性:
良い
最高温度:
1380℃
曲げ強度:
280 Mpa
純度:
98%
圧縮強度:
> 2GPa
高い熱伝導率:
はい
耐熱衝撃性:
良い
最高温度:
1380℃
曲げ強度:
280 Mpa
純度:
98%
圧縮強度:
> 2GPa
Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications
Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier | Precision Hollow SiC Ceramic Support Plate Product Introduction This product is a Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier, manufactured from high-purity silicon carbide (SiC) ceramic raw materials. It features an overall diamond outline with multi-layer annular radial hollow structure in the center. Fabricated via atmospheric pressure high-temperature sintering and precision machining, it boasts

Tags:

シリコンカービード,

si3n4カービッドセラミック,

酸化抵抗性 ポリシング シリコンカービード

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